InSb
Devido ao seu gap extremamente estreito, pequena massa efetiva de elétrons e alta mobilidade de elétrons, o antimoneto de índio (InSb), um tipo de material de cristal semicondutor III-V, encontrou uso significativo em componentes magnetorresistivos, dispositivos Hall e outras tecnologias industriais. O material preferido para detectores infravermelhos de onda média é o InSb devido à sua eficiência quântica extremamente alta e taxa de resposta na faixa de 3 a 5 μm.
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ESPECIFICAÇÕES Gerais |
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Tamanho |
2" |
3" |
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Orientação |
A ou B ± 0,1 grau, (100) também pode fornecer qualquer ângulo diferente de ori. (100) |
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Diâmetro (mm) |
50.5±0.5 |
76.2±0.4 |
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Ângulo plano |
2 apartamentos a 120 graus |
2 apartamentos a 120 graus |
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Tolerância |
±0,1 grau |
±0,1 grau |
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DE comprimento (mm) |
16±2 |
22±2 |
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SE Comprimento (mm) |
8±1 |
11±1 |
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Espessura (μm) |
625±25 |
800 ou 900±25 |
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O tamanho pode ser personalizadoEd. |
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Condutividade e Dopante |
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Dopante |
Tipo de condutividade |
CC cm-3(77K) |
Mobilidade cm²V-1S-1 |
Densidade de Luxação cm-2 |
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Telúrio (Te) |
tipo n |
4x1014~1.4X1015 |
Maior ou igual a 1x105 |
2",3" Menor ou igual a 50 |
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Métricas elétricas mais rigorosas podem ser fornecidas mediante solicitação. |
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PLANEJAMENTO |
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Superfície |
2" |
3" |
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Polido/Gravado |
TTV(μm) |
<10 |
<10 |
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Arco (μm) |
<10 |
<10 |
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Urdidura (μm) |
<15 |
<15 |
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Polido/Polido |
TTV(μm) |
<5 |
<5 |
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Arco (μm) |
<5 |
<5 |
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Urdidura (μm) |
<8 |
<8 |
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