Descrição do produto:
O carboneto de silício (SiC), também conhecido como carborundo, é um semicondutor com a fórmula química SiC composto de silício e carbono. Dispositivos que requerem altas tensões, altas temperaturas ou ambos empregam carboneto de silício (SiC). Um dos principais componentes dos LEDs é o SiC, que também é usado como dissipador de calor em LEDs de alta potência e como substrato comum para o crescimento de dispositivos GaN.
Tamanho Comum
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Tipo 4H-N / wafer/lingotes de SiC de alta pureza Wafer/lingotes de SiC tipo N 4H de 2 polegadas |
Wafer 4H semi-isolante / SiC de alta pureza Wafer SiC semi-isolante 4H de 2 polegadas |
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Bolacha SiC tipo 6H N |
Tamanho personalizado para 2-6polegadas |
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Item |
Especificações |
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Politipo |
4H-SiC |
6H- SiC |
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Diâmetro |
2 polegadas|3 polegadas|4 polegadas|6 polegadas |
2 polegadas|3 polegadas|4 polegadas|6 polegadas |
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Grossura |
330 μm ~ 350 μm |
330 μm ~ 350 μm |
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Condutividade |
N – tipo / Semi-isolante |
N – tipo / Semi-isolante |
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Dopante |
N2 (nitrogênio) V (vanádio) |
N2 (Nitrogênio) V (Vanádio) |
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Orientação |
No eixo<0001> |
No eixo<0001> |
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Resistividade |
{{0}},015 ~ 0,03 ohm-cm |
{{0}},02 ~ 0,1 ohm-cm |
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Densidade de microtubos (MPD) |
Menor ou igual a 10/cm2 ~ Menor ou igual a 1/cm2 |
Menor ou igual a 10/cm2 ~ Menor ou igual a 1/cm2 |
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TTV |
Menor ou igual a 15 μm |
Menor ou igual a 15 μm |
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Arco / Urdidura |
Menor ou igual a 25 μm |
Menor ou igual a 25 μm |
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Superfície |
DSP/SSP |
DSP/SSP |
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Nota |
Grau de produção/pesquisa |
Grau de produção/pesquisa |
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Sequência de empilhamento de cristal |
ABCB |
ABCABC |
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Parâmetro de rede |
a=3.076A , c=10.053A |
a=3.073A , c=15.117A |
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Por exemplo/eV (banda gap) |
3,27 eV |
3,02 eV |
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ε (constante dielétrica) |
9.6 |
9.66 |
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Índice de refração |
n0 =2.719 ne =2.777 |
n0 =2.707, ne =2.755 |
6H-SiCBolachaespecificações:
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